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簡(jiǎn)要描述:VLF超低頻高壓發(fā)生器電氣設(shè)備的高壓耐壓試驗(yàn)是《絕緣預(yù)防性試驗(yàn)》規(guī)定的Z重要項(xiàng)目之一。耐壓試驗(yàn)可分為交流耐壓試驗(yàn)和直流耐壓試驗(yàn),交流耐壓試驗(yàn)又可分為工頻、變頻和0.1Hz超低頻測(cè)試技術(shù),其中0.1Hz超低頻技術(shù)是技術(shù),是當(dāng)前電工委員會(huì)推薦的技術(shù)。
VLF超低頻高壓發(fā)生器產(chǎn)品簡(jiǎn)介
VLF超低頻高壓發(fā)生器電氣設(shè)備的高壓耐壓試驗(yàn)是《絕緣預(yù)防性試驗(yàn)》規(guī)定的zui重要項(xiàng)目之一。耐壓試驗(yàn)可分為交流耐壓試驗(yàn)和直流耐壓試驗(yàn),交流耐壓試驗(yàn)又可分為工頻、變頻和0.1Hz超低頻測(cè)試技術(shù),其中0.1Hz超低頻技術(shù)是技術(shù),是當(dāng)前電工委員會(huì)推薦的技術(shù)。新一代VLF系列微機(jī)式0.1Hz超低頻高壓發(fā)生器是本公司自主開發(fā)的核心產(chǎn)品,它克服了*代機(jī)械式產(chǎn)品的諸多缺點(diǎn),性價(jià)比遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于同類進(jìn)口產(chǎn)品,特別適用于絕緣等值電容較大的電氣設(shè)備(例如:電力電纜、電力電容器、大中型發(fā)電機(jī)和電動(dòng)機(jī)等)耐壓試驗(yàn),超低頻高壓發(fā)生器符合2004年國(guó)家新頒布電力行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)《超低頻高壓發(fā)生器通用技術(shù)條件 DL/T849.4-2004》要求。
HTDP-H超低頻高壓發(fā)生器產(chǎn)品別稱
超低頻高壓發(fā)生器、0.1Hz超低頻高壓發(fā)生器、程控超低頻高壓發(fā)生器、超低頻交流高壓試驗(yàn)裝置、超低頻耐壓試驗(yàn)裝置
產(chǎn)品特征
1、電流、電壓、波形數(shù)據(jù)均直接通過高壓側(cè)采樣獲得,所以數(shù)據(jù)真實(shí)、準(zhǔn)確。
2、過壓保護(hù):當(dāng)輸出超過所設(shè)定的限壓值時(shí),儀器將停機(jī)保護(hù),動(dòng)作時(shí)間小于20毫秒。
3、過流保護(hù):設(shè)計(jì)為高低壓雙重保護(hù),高壓側(cè)可按設(shè)定值進(jìn)行精確停機(jī)保護(hù);低壓側(cè)的電流超過額定電流時(shí)將進(jìn)行停機(jī)保護(hù),動(dòng)作時(shí)間都小于20毫秒。
4、高壓輸出保護(hù)電阻設(shè)計(jì)在升壓體內(nèi),所以外面不需另接保護(hù)阻。
5、由于采用了高低壓閉環(huán)負(fù)反饋控制電路,所以輸出無容升效應(yīng)。
技術(shù)參數(shù)
表一:
型號(hào) | 額定電壓 | 帶載能力 | 電源保險(xiǎn)管 | 產(chǎn)品重量 |
HTDP-H-30KV | 30kV/20mA | 0.1Hz,≤0.5μF~1.1μF | 5A | 控制器:4㎏ |
0.05Hz,≤0.5μF~2.2μF | ||||
0.02Hz,≤0.5μF~5.5μF | ||||
HTDP-H-50KV | 50kV/30mA | 0.1Hz,≤0.5μF~1.1μF | 7A | 控制器:4㎏ |
0.05Hz,≤0.5μF~2.2μF | ||||
0.02Hz,≤0.5μF~5.5μF | ||||
HTDP-H-60KV | 60kV/30mA | 0.1Hz,≤0.5μF | 9A | 控制器:4㎏ |
0.05Hz,≤0.5μF~1μF | ||||
0.02Hz,≤0.5μF~2.5μF | ||||
HTDP-H-80KV | 80kV/30mA | 0.1Hz,≤0.5μF | 12A | 控制器:4㎏ |
0.05Hz,≤0.5μF~1μF | ||||
0.02Hz,≤0.5μF~2.5μF |
輸出額定電壓 | 參見表1 | |
輸出頻率 | 參見表1 | 0.1Hz,zui大1.1 μf |
0.05 Hz zui大2.2 μf | ||
0.02 Hz zui大5.5 μf | ||
測(cè)量精度 | 1% | |
電壓正,負(fù)峰值誤差 | ≤3% | |
電壓波形失真度 | ≤5% | |
使用條件 | 戶內(nèi)、戶外 | |
溫度 | -10℃~+40℃ | |
濕度 | ≤85%RH | |
電源 | 交流50 Hz,220V ±5% | |
電源保險(xiǎn)管 | 參見表1 |
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